日本半导体制作设备大规模的公司东京电子（TokyoElectron）6月8日发布方案称，将向同职业的荷兰ASML和比利时的研究机构imec联合运营的实验室供给新一代设备。该设备将与ASML出产的归于顶级光刻设备的“EUV（极紫外）光刻设备”的新一代产品做组合。东京电子将自研制阶段开端携手半导体微细化技能的领跑企业，以进步开发竞赛力。

  东京电子将供给设备的对象是ASML和imec联合运营的“imec-ASML高NAEUV实验室”（坐落费尔德霍芬市）。该实验室在缩小半导体电路线宽的微细化研制技能（R&D）方面具有国际顶尖水平。

  东京电子将供给在半导体晶圆上涂布感光剂（光刻胶）使之显影的“涂布显影设备(Coater Developer)”。这是东京电子初次向上述实验室供给设备。将经过进入最顶级半导体的研制，进步竞赛优势性。

  据调查公司GlobalNet（坐落东京中心区）计算，东京电子在涂布显影设备商场把握近9成的全球比例。在面向EUV光刻设备方面，东京电子具有100％的比例。

  在共同研究方面，将把ASML的新一代EUV光刻设备和东京电子的涂布显影设备组合为一体，进步半导体的出产功率。东京电子最早将于2022年上半年供给自己的设备，组合起来的设备则方案最快于2023年投入运用。

  在半导体的微细化方面，现在将线纳米的半导体已投入量产。半导体的国际级厂商台积电（TSMC）在微细化方面走在职业最前列，向美国苹果的智能手机“iPhone12”等供给半导体芯片。

  图中以技能节点称号命名的PP是多晶硅布线距离（nm），MP是精密金属布线距离（nm）。必需要分外留意的是，曩昔的技能节点指的是最小加工尺度或栅极长度，现在仅仅 标签，并不指某一方位的物理长度。

  此处显现的结构和资料（如BPR，CFET和运用2D资料的通道）已独自发布。

  ASML已完成了HIGH NA EUV光刻设备NXE：5000系列的根本规划，但方案于2022年左右商业化。因为所运用的光学系统十分巨大，使得这台下一代机器很巨大，根本上顶到了惯例洁净室的天花板。

  当时量产的EUV光刻设备（NA= 0.33）（前）和下一代高NA EUV光刻设备（NA =0.55）（后）的尺度比较

  ASML一向与imec亲近合作开发光刻技能，可是关于运用HighNA EUV光刻设备做光刻工艺的开发，“ imec-asml high na EUV LAB”则坐落imec园区。将在那里进行联合开发，还将与资料供给商一同开发掩模和抗蚀剂。